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半导体CSP先进封装，是我们针对现代电子行业需求推出的一款高端半导体封装技术。瑞沃微采用业界先进的封装工艺和材料，我们的CSP（Chip Scale Package）封装技术不仅满足了高性能、高可靠性的需求，更在细节上追求卓越，确保每一颗芯片都能发挥出最佳性能。
2024-05
第三代功率半导体功率器件封装已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景，全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。
2024-05
近年来，随着晶圆级封装技术的不断提升，众多芯片设计及封测公司开始思考并尝试采用晶圆级封装技术替代传统封装，摩尔定律逐步到达极限，随着芯片产业的高速发展，芯片之间的数据交换呈现出倍数增长，传统的芯片封装方式已经无法满足如此巨大的数据处理需求，先进封装的重要性日益凸显，封装是半导体制造过程中重要环节，占封测部分价值的 80~85%。半导体封装是半导体制造工艺的后道工序，指将制作好的半导体器件放入具有支持、保...
2024-04
半导体封装方案目前各类层出不穷，具体有何差别，芯片封装是提升芯片性能的另一个方向，主要是指采用具有一定强度和导电导热或绝缘特性的材料对芯片进行外层包覆，以实现对芯片的物理保护及电气连接，使芯片电光转换效率等关键性能得以充分释放，同时不受水、电、尘渍、撞击等外界干扰，保持芯片稳定工作能力的一种技术的统称，诸如倒装芯片封装，晶圆级封装等先进封装技术将带来新一轮的芯片性能爆发。今天我们来了解一下晶圆级...
2024-03
宽禁带半导体是指禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表，也称“第三代半导体”。采用SiC、GaN材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。宽禁带半导体不属于先进工艺，对设备的依赖会小一点，其涉及的很多设备目前基本上可以在国内获得，核心设备后期也可以实现自主可控。“这是一个新赛道，我们有机...
2024-03
Mini-LED背光指采用Mini-LED倒装晶片或分立器件式的LED制作的、带有LOCAL DIMMING分区调光功能的高阶直下式背光产品。Mini LED背光能提供更高的亮度和更加准确的颜色表现，使得图像更加清晰、细节更加丰富，Mini LED背光采用小尺寸的LED灯珠和分区调光技术，可实现更精准的亮度控制和节能效果，小尺寸的Mini LED灯珠，其击穿电压更高、更加耐用，使用寿命也更加稳定。相比传统的背光技术，M...
2024-03
相比于传统的封装，对于先进的板级扇出型封装，首先提两个观点：1.封装技术演进的本质是对I/O密度的追求，2.套用功率器件领域的一句话来说，芯片设计已经快玩到“头了”（摩尔定律走到了深水区+设计上也很难有翻天覆地的突破了），该在封装上下功夫了。随着芯片缩小+性能提升，WLP/CSP这类封装的I/O密度已经无法满足需求了，道理也很简单，基板等载体布线间距无法再更小了，也就是放不下了，而扇出封装在这时候...
2024-03
什么是碳化硅氮化镓？ 碳化硅氮化镓属于第三代半导体，它以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、等宽禁带物质为代表。事实上，三代半导体材料之间的主要区别就是禁带宽度。现代物理学描述材料导电特性的主流理论是能带理论，能带理论认为晶体中电子的能级可划分为导带和价带，价带被电子填满且导带上无电子时，晶体不导电
2024-02
封装为半导体产业核心一环，主要目的为保护芯片。半导体封装测试处于晶圆制造过 程中的后段部分，在芯片制造完后，将晶圆进行封装测试，将通过测试的晶圆按需求及功 能加工得到芯片，属于整个 IC 产业链中技术后段的环节，封装的四大目的为保护芯片、 支撑芯片及外形、将芯片的电极和外界的电路连通、增强导热性能作用，实现规格标准化 且便于将芯片的 I/O 端口连接到部件级（系统级）的印制电路板（PCB）、玻璃基板等材料 ...
2024-02
先进封装技术未来趋势之一 Mip到底是怎么回事？瑞沃微新普及，目前，Micro LED产业化探索主要结合了COB和Mip两条主流技术路线，并广泛应用于各种产品中。COB技术主要用于室内小间距微间距、曲面、异形LED以及虚拟像素等领域；而Mip主要应用于准Micro LED显示、DCI色域电影院屏幕、XR虚拟拍摄等领域。 Mip（Mini/Micro LED in Package）封装技术是一种将Mini/Micro LED芯片进行芯片级封装的技术，通过切割成单颗器件，分光混光等步骤完成显示屏的制作。这种封装技术可以完美继承“表贴”工艺，并且随着Mini/Micro LED芯片价格的降低，有力推动微间距市场向低成本的技术迭代。
2024-02