由深圳瑞沃微半导体科技有限公司发布  |  2024-05-15 深圳 

  作为半导体材料“霸主“的Si，其性能似乎已经发展到了一个极限，而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以，出现了以Si基器件为主导，SiC和GaN为"游击"形式存在的局面，随着新兴战略产业的发展对第3代宽禁带功率半导体碳化硅材料和芯片的应用需求，国内外模块封装技术也得到迅速发展，追求低杂散参数、小尺寸的封装技术成为封装的密切关注点，瑞沃微半导体工程师们研发了结构各异的高性能功率模块，提升了SiC基控制器的性能。

     封装本质上是芯片布局成电路和散热技术。结合外部设计组成成熟的产品，其技术基础主要是三个方面。包括芯片互连，芯片焊接，和散热设计，加上一个外壳封装构成整个模块。随着电力电子技术的飞速发展，Si基半导体器件也在飞速发展，任何事物的发展，除了外在力的作用，自身特性也会限制发展，Si基半导体器件似乎已经到了"寸步难行"的地步。而此时，以碳化硅SiC和氮化镓GaN为主的新型半导体材料，也就是我们常说的第三代宽禁带半导体(WBG)"破土而出"，以其优越的性能突破的Si的瓶颈，同时也给半导体器件应用带来了显著的提升。

     目前，SiC和GaN半导体功率器件早已进入商业化，常见的SiC半导体器件是SiC Diode、JFET、MOSFET，GaN则以HEMT(高电子迁移率晶体管)为主，SiC和GaN半导体器件早已进入商业化，第三代功率半导体器件封装已经在智能电网、电动汽车、轨道交通、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域得到应用，并展现出良好的发展前景，全球新一轮的产业升级已经开始，正在逐渐进入第三代半导体时代。

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