由深圳瑞沃微半导体科技有限公司发布  |  2024-06-26 深圳 

  现代通信技术的迅猛进步，无疑是推动半导体技术持续革新的关键力量之一。在后摩尔时代，半导体封装工艺正经历着不断的迭代与更新，先进的封装技术逐渐崭露头角，它们在追求集成电路性能与空间优化的道路上不断前行。

从传统的平面封装，我们已经跨越到更为先进的2.5D/3D封装技术，这一转变极大地提升了系统的集成度，同时也打破了仅依赖同一颗芯片或同质芯片的局限。新兴的技术如Chiplet、CWLP、SiP、堆叠封装以及异质集成等，正逐步改变着半导体行业的面貌。

  与此同时，与封装技术相伴的键合技术也在迅速发展。在先进封装的工艺背景下，传统的芯片键合（Die Bonding）和引线键合（Wire Bonding）技术已逐渐让位于晶圆键合（Wafer Bonding）、倒装芯片键合（Flip Chip Bonding）以及混合键合等新技术。这些新兴技术正以前所未有的速度发展，并成为行业的主流。

  先进封装技术的核心在于其高密度的互连布线，而这正是混合键合技术的用武之地。混合键合技术通过细间距（小于1至20微米）的直接铜-铜键合，实现了高效的芯片堆叠，并有望在未来广泛替代微凸块和铜柱凸块，成为行业的新标准。

如今，混合键合技术已经能够扩展至亚微米级别，对于系统性能、能效、外形尺寸的改进以及上市时间的缩短都具有重要意义。这一技术的出现，甚至模糊了先进制造与先进封装之间的界限，预示着半导体行业将迎来一场深刻的变革。

  为了充分实现混合键合技术的潜力，产业界需要展开更为紧密的协作与创新。工程师们正在积极寻求新的解决方案，以继续缩小尺寸并提高性能。混合键合技术正是这场游戏中的改变者，它完全摒弃了凸块的使用，转而采用小型的铜对铜连接来连接封装中的芯片，为10微米及以下的间距提供了可行的解决方案。

燃梦赢未来！瑞沃微如今已实现半导体芯片键合、布线和模组贴装一体化制程。