由深圳瑞沃微半导体科技有限公司发布  |  2024-06-14 深圳 

  随着无线通信技术的飞速发展，对系统集成度和操作性能的要求日益提高，推动了先进封装技术的不断涌现。近年来，异质三维集成封装技术取得了显著进步。三维集成，作为一种新型系统级架构，通过在垂直方向上堆叠多个芯片并使用硅通孔（TSV）进行互连，实现了更高的集成度、更快的运行速度和更低的功耗。

TSV（Through Silicon Vias，硅通孔）技术的确在现代集成电路设计中发挥着关键作用，特别是在实现高性能、高集成度的系统级封装（SiP）方面

TSV技术还在内存和存储应用中发挥了重要作用。通过垂直堆叠多个芯片，可以显著减少它们占用的面积，提高系统的集成度。例如，HBM（High Bandwidth Memory）内存就是使用TSV技术将多个DRAM芯片堆叠在一起，从而实现了极高的带宽和容量。这种设计被广泛应用于高性能图形处理器中，以提供足够的内存带宽来满足复杂的图形渲染需求。

另外，三星的V-NAND技术也是TSV技术在存储领域的一个成功应用。通过将多个NAND闪存芯片垂直堆叠在一起，V-NAND技术实现了更高的存储容量和性能，同时保持了较小的封装尺寸。

由于TSV技术的独特优势，基于TSV电感器设计的集总型带通滤波器和威尔金森功分器在集成度和电学性能上均表现出色，相较于其他工艺具有更高的性价比和实用性。这些研究成果对于推动无线通信技术的发展具有重要意义。