由深圳瑞沃微半导体科技有限公司发布  |  2024-04-18 深圳                 

  目前为止，行业上的SI基器件先进封装技术正在逐渐替代传统的SI基器件封装技术，相对于传统SI基器件封装，我司先进封装技术在用于宽禁带半导体功率器件时，会在频率、散热、可靠性等方面带来新一步的提升，封装技术正成为宽禁带功率器件的技术瓶颈，为进一步降低寄生效应，使用多层衬底的 2.5D 和3D 模块封装结构等，而已被开发出来用于功率芯片之间或者功率芯片与驱动电路之间的互连，不再用线路板或者载板来作为承载芯片连接的载体，可以解决载板自身制造工艺极限所造成的封装工艺瓶颈问题。

据悉，Si基器件在散热方面具有更高的要求，Si 基器件可以工作在更高的温度下，在相同其他器件功率等级下，对散热的要求就更高了，如果工作时的温度过高，不但会引起器件性能的下降，还会因为不同封装材料的热膨胀系数（CTE）失配以及界面处存在的热应力带来可靠性问题，而我司目前为止已攻克此难题，在散热方面有很大提升。

  我司SI基器件先进封装技术相比传统的SI基器件封装技术具有更大的优势如下：1、拥有更好的导电性，2、更高的抗热疲劳能力，3、最大程度保护芯片不受损伤，传统的SI基器件功率模块工作温度一般低于 175 ℃，而我司最新突破的SI基器件特殊型封装工艺，能在同一工作温度下，比传统的更耐温。瑞沃微目前在自主研发SI基器件封装设计阶段取得了新突破，不久将进入试产阶段，在创新封装技术上不断突破行业关键痛点，提供优质可靠的新型封装技术。